Bahan sasaran salutan ialah sumber sputtering yang membentuk pelbagai filem berfungsi pada substrat melalui sputtering magnetron, penyaduran ion berbilang arka, atau jenis sistem salutan lain di bawah keadaan proses yang sesuai.Ringkasnya, bahan sasaran adalah bahan sasaran yang dibombardir oleh zarah bercas berkelajuan tinggi, digunakan dalam senjata laser bertenaga tinggi.Apabila ketumpatan kuasa yang berbeza, bentuk gelombang keluaran, dan panjang gelombang laser berinteraksi dengan bahan sasaran yang berbeza, mereka akan menghasilkan kesan pembunuhan dan pemusnahan yang berbeza.Sebagai contoh, salutan sputtering magnetron penyejatan ialah salutan penyejatan pemanasan, filem aluminium, dsb. Dengan menggantikan bahan sasaran yang berbeza (seperti aluminium, tembaga, keluli tahan karat, titanium, sasaran nikel, dll.), sistem filem yang berbeza (seperti superhard, filem aloi tahan haus, anti-karat, dsb.) boleh diperolehi.
Kegunaan umum bahan sasaran termasuk:
1. Mengekalkan dan memperbaiki sifat permukaan bahan, seperti kekerasan, rintangan haus, rintangan kakisan, dll;
2. Digunakan untuk menyediakan bahan baharu atau meningkatkan prestasi bahan sedia ada, seperti sel solar, LED, paparan panel rata, dsb;
3. Digunakan untuk menyediakan komponen elektronik, seperti transistor, litar bersepadu, dll;
4. Digunakan untuk menyediakan bahan seperti superkonduktor, filem nipis optik, sensor, dll.
Pelbagai jenis bahan filem nipis sputtered telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu semikonduktor (VLSI), cakera optik, paparan panel rata, dan salutan permukaan bahan kerja.Sejak 1990-an, pembangunan segerak bahan sasaran sputtering dan teknologi sputtering telah banyak memenuhi keperluan pembangunan pelbagai komponen elektronik baru.Sebagai contoh, dalam proses pembuatan litar bersepadu semikonduktor, filem konduktor kuprum dengan kerintangan yang lebih rendah digunakan dan bukannya pendawaian filem aluminium.Dalam industri paparan panel rata, pelbagai teknologi paparan (seperti LCD, PDP, OLED, dan FED) telah dibangunkan secara serentak, dan beberapa telah digunakan dalam pembuatan paparan komputer dan komputer;Dalam industri penyimpanan maklumat, kapasiti penyimpanan memori magnetik sentiasa meningkat, dan bahan rakaman magneto-optik baharu sentiasa muncul.Ini telah mengemukakan keperluan yang lebih tinggi untuk kualiti sasaran sputtering yang diperlukan, dan permintaan untuk kuantiti juga meningkat dari tahun ke tahun.
Di antara semua industri aplikasi, industri semikonduktor mempunyai keperluan kualiti yang paling ketat untuk filem sputtering sasaran.Pada masa kini, wafer silikon 12 inci (300 orifis) telah dihasilkan, manakala lebar sambungan semakin berkurangan.Keperluan pengeluar wafer silikon untuk bahan sasaran ialah saiz besar, ketulenan tinggi, pengasingan rendah dan saiz butiran halus, yang memerlukan bahan sasaran yang dihasilkan mempunyai struktur mikro yang lebih baik.Diameter dan keseragaman zarah kristal dalam bahan sasaran telah dianggap sebagai faktor utama yang mempengaruhi kadar pemendapan filem nipis.Di samping itu, ketulenan filem nipis berkait rapat dengan ketulenan bahan sasaran.Pada masa lalu, sasaran tembaga dengan ketulenan 99.995% (4N5) mungkin memenuhi keperluan pengeluar semikonduktor dalam proses 0.35 petang, tetapi mereka tidak dapat memenuhi keperluan proses 0.25um semasa.Walau bagaimanapun, untuk proses 0.18um atau 0.13m, ketulenan sasaran yang diperlukan akan diperlukan untuk mencapai 5 atau 6N.Berbanding dengan aluminium, tembaga mempunyai rintangan yang lebih tinggi terhadap migrasi elektro dan kerintangan yang lebih rendah, yang boleh memenuhi keperluan!Keperluan untuk pendawaian submikron dengan teknologi konduktor di bawah 0.25um telah membawa masalah lain: kekuatan lekatan yang rendah antara tembaga dan bahan dielektrik organik, dan tindak balas yang mudah, yang membawa kepada kakisan dan litar terbuka sambung tembaga dalam cip semasa digunakan.Untuk menangani isu ini, lapisan penghalang perlu dipasang di antara kuprum dan lapisan dielektrik.Bahan lapisan penghalang secara amnya menggunakan logam dan sebatiannya dengan takat lebur yang tinggi dan kerintangan yang tinggi, jadi ketebalan lapisan penghalang perlu kurang daripada 50nm dan mempunyai prestasi lekatan yang baik dengan bahan kuprum dan dielektrik.Bahan penghalang untuk sambung tembaga dan sambung aluminium adalah berbeza.Bahan sasaran baharu perlu dibangunkan.Bahan sasaran yang digunakan untuk lapisan penghalang sambung tembaga termasuk Ta, W, TaSi, WSi, dll. Walau bagaimanapun, Ta dan W adalah semua logam refraktori, menjadikannya agak sukar untuk dihasilkan.Pada masa ini, penyelidikan sedang dijalankan terhadap aloi titanium seperti molibdenum dan kromium sebagai bahan alternatif.
